مقاله طراحی تقویت کننده‌های قدرت کلاس AB مبتنی بر ترانسفورماتور D-Band در فناوری‌های سیلیکونی
تعداد صفحات: ۱۲
فرمت: pdf
زبان: لاتین
سال انتشار : ۲۰۲۰
این مقاله ملاحظات و روش‌شناسی طراحی را برای تقویت‌کننده‌های توان تقویت‌کننده افزایش بهره مبتنی بر ترانسفورماتور باند D کلاس-AB در سه فناوری پیشرفته سیلیکونی ارائه می‌کند: CMOS حجیم ۲۸ نانومتری (نیمه‌رسانای اکسید فلزی مکمل)، FD-SOI ۲۲ نانومتری (کاملاً– سیلیکون تخلیه شده…
http://peroje۲۴.۴kia.ir/info/۷۶۳۳۳۱/i/?getppsid=۸۴۷۴